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Dioden - Zener - Single

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BZX584C27-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C27-V-G-08

Teilbestand: 148449

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 18.9V,

Wunschzettel
BZX584C16-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C16-V-G-08

Teilbestand: 114040

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 11.2V,

Wunschzettel
BZG05C62-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C62-HM3-08

Teilbestand: 303

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±6.45%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
BZG05B56-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B56-M3-08

Teilbestand: 280

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
BZG05C100-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C100-HM3-18

Teilbestand: 254

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±5.5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
BZG03C13-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C13-HM3-08

Teilbestand: 322

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±6.54%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG05B33-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-M3-18

Teilbestand: 238

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
BZG03C33-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C33-M3-08

Teilbestand: 265

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±6.06%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZX584C51-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C51-V-G-08

Teilbestand: 122817

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 180 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 35.7V,

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BZG03C47-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C47-M3-08

Teilbestand: 324

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZX584C4V3-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C4V3-V-G-08

Teilbestand: 124965

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V,

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BZG03C24-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C24-HM3-18

Teilbestand: 251

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5.83%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG04-30-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG04-30-M3-18

Teilbestand: 332

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Leistung max: 1.25W, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 30V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG03C13-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C13-M3-08

Teilbestand: 264

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±6.54%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG03C16-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C16-HM3-18

Teilbestand: 317

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5.63%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZX584C18-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C18-V-G-08

Teilbestand: 107694

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 12.6V,

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BZG05B91-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B91-M3-08

Teilbestand: 335

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 91V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 250 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 68V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG03C56-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C56-HM3-08

Teilbestand: 316

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±7.14%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG03C82-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C82-M3-08

Teilbestand: 306

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 82V, Toleranz: ±6.1%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 62V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG05C4V3-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C4V3-HM3-18

Teilbestand: 283

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±6.98%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG03C36-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C36-HM3-18

Teilbestand: 300

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5.56%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG04-82-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG04-82-M3-18

Teilbestand: 323

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Leistung max: 1.25W, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 82V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG05C75-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C75-M3-08

Teilbestand: 286

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 135 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZX584C4V7-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C4V7-V-G-08

Teilbestand: 187678

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V,

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BZX584C47-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C47-V-G-08

Teilbestand: 153666

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 32.9V,

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BZG03C43-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C43-HM3-08

Teilbestand: 237

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±6.98%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG05B20-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-M3-18

Teilbestand: 307

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 24 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG03C22-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C22-M3-18

Teilbestand: 309

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5.68%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG03C160-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C160-M3-18

Teilbestand: 292

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 160V, Toleranz: ±4.06%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 120V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG05C47-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C47-HM3-18

Teilbestand: 297

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B13-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-M3-08

Teilbestand: 291

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG03C39-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C39-HM3-08

Teilbestand: 328

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5.13%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 30V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZG05C82-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05C82-HM3-18

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 82V, Toleranz: ±6.1%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 62V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG03C270-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG03C270-HM3-08

Teilbestand: 260

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 270V, Toleranz: ±7.04%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 1000 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 200V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500mA,

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BZX584C30-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX584C30-V-G-08

Teilbestand: 186274

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 21V,

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BZG05B43-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-M3-18

Teilbestand: 318

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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