Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

BZG05B6V8-E3-TR

Teilbestand: 6901

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2.06%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 3.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V8-E3-TR3

Teilbestand: 6834

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2.06%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 3.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V2-HE3-TR

Teilbestand: 6887

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±1.94%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B6V2-E3-TR3

Teilbestand: 6928

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±1.94%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-HE3-TR3

Teilbestand: 6848

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-E3-TR3

Teilbestand: 6906

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-HE3-TR

Teilbestand: 6923

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B68-E3-TR

Teilbestand: 6920

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B62-HE3-TR3

Teilbestand: 5441

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B62-HE3-TR

Teilbestand: 6919

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B62-E3-TR3

Teilbestand: 6851

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V6-HE3-TR3

Teilbestand: 3726

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B62-E3-TR

Teilbestand: 6877

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B5V6-HE3-TR

Teilbestand: 6880

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B5V6-E3-TR3

Teilbestand: 6885

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B5V1-HE3-TR3

Teilbestand: 6909

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B5V6-E3-TR

Teilbestand: 6864

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B5V1-E3-TR3

Teilbestand: 6878

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B5V1-HE3-TR

Teilbestand: 3721

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B56-HE3-TR3

Teilbestand: 3743

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B5V1-E3-TR

Teilbestand: 6918

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±1.96%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B56-E3-TR3

Teilbestand: 6833

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B56-HE3-TR

Teilbestand: 6883

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B56-E3-TR

Teilbestand: 6851

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B51-HE3-TR

Teilbestand: 6907

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 115 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 39V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B51-E3-TR

Teilbestand: 6907

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 115 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 39V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B4V7-HE3-TR

Teilbestand: 6870

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±1.91%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B4V7-E3-TR

Teilbestand: 6884

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±1.91%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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BZG05B4V3-HE3-TR

Teilbestand: 6837

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2.09%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B4V3-E3-TR3

Teilbestand: 6851

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2.09%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B4V3-E3-TR

Teilbestand: 6857

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2.09%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-HE3-TR

Teilbestand: 6832

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-HE3-TR3

Teilbestand: 3736

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-E3-TR3

Teilbestand: 6827

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B47-E3-TR

Teilbestand: 6837

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-HE3-TR3

Teilbestand: 6830

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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