Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

BYM12-300HE3_A/H

Teilbestand: 273

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

Teilbestand: 146674

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

Teilbestand: 150291

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

Teilbestand: 108452

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 250mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

Teilbestand: 154468

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

Teilbestand: 158822

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

Teilbestand: 159155

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

Teilbestand: 197051

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

Teilbestand: 122405

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

Teilbestand: 119842

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

Teilbestand: 148532

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 125V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

Teilbestand: 128512

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

Teilbestand: 196580

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

Teilbestand: 102104

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

Teilbestand: 107935

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

Teilbestand: 101978

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

Teilbestand: 109507

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

Teilbestand: 182695

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

Teilbestand: 142042

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

Teilbestand: 194217

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

Teilbestand: 116168

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

Teilbestand: 118002

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

Teilbestand: 110674

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

Teilbestand: 116604

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

Teilbestand: 189935

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

Teilbestand: 111895

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

Teilbestand: 123251

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

Teilbestand: 184839

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

Teilbestand: 175613

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

Teilbestand: 130523

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

Teilbestand: 112559

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

Teilbestand: 191280

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

Teilbestand: 131337

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

Teilbestand: 166092

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

Teilbestand: 116282

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

Teilbestand: 173970

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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