Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW85TR

Teilbestand: 190298

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW72-TR

Teilbestand: 176837

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36A-TAP

Teilbestand: 106977

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TR

Teilbestand: 166059

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TAP

Teilbestand: 197416

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TR

Teilbestand: 193761

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-50-TAP

Teilbestand: 186896

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TR

Teilbestand: 193768

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-13TAP

Teilbestand: 151048

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TAP

Teilbestand: 193746

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TR

Teilbestand: 180423

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-050-TAP

Teilbestand: 168824

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36C-TAP

Teilbestand: 144190

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TR

Teilbestand: 180379

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TR

Teilbestand: 184567

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TR

Teilbestand: 153910

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TAP

Teilbestand: 174447

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TAP

Teilbestand: 197427

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TR

Teilbestand: 197470

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TR

Teilbestand: 183624

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TR

Teilbestand: 145511

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56G-TR

Teilbestand: 111086

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TR

Teilbestand: 193786

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TR

Teilbestand: 190208

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TAP

Teilbestand: 174443

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56D-TAP

Teilbestand: 181104

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172F-TR

Teilbestand: 183570

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TR

Teilbestand: 163522

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TAP

Teilbestand: 149650

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TR

Teilbestand: 181183

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/73

Teilbestand: 165820

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 2.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83-TR

Teilbestand: 197398

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TAP

Teilbestand: 180387

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW76TAP

Teilbestand: 186903

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TAP

Teilbestand: 193864

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 7.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TAP

Teilbestand: 101521

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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