Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

BYM07-100HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-100HE3_A/I

Teilbestand: 8592

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-200-E3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200-E3/98

Teilbestand: 134725

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-100-E3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-100-E3/98

Teilbestand: 107253

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-400HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400HE3_A/H

Teilbestand: 5488

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-300HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300HE3_A/H

Teilbestand: 8480

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-200HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200HE3_A/H

Teilbestand: 8494

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-100HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-100HE3_A/H

Teilbestand: 8534

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-150HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-150HE3_A/H

Teilbestand: 8477

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BYM07-50HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50HE3_A/H

Teilbestand: 8561

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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BY520-16E-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-16E-E3/54

Teilbestand: 147079

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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BYM07-400-E3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400-E3/83

Teilbestand: 173565

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY206GP-E3/73

Teilbestand: 126664

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159DGP-E3/73

Teilbestand: 106594

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GP-E3/73

Teilbestand: 125708

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 360mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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BYW27-200GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GP-E3/73

Teilbestand: 198313

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

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BYW27-400GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GP-E3/73

Teilbestand: 110002

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

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BY520-14E-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-14E-E3/54

Teilbestand: 174629

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158GP-E3/73

Teilbestand: 178227

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GP-E3/73

Teilbestand: 174764

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-50-E3/97

Teilbestand: 110786

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GP-E3/54

Teilbestand: 120015

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPE-E3/73

Teilbestand: 131657

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GP-E3/54

Teilbestand: 146721

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 360mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158GPE-E3/54

Teilbestand: 158107

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPE-E3/54

Teilbestand: 152192

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-E3/TR3

Teilbestand: 137357

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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BAS70-00-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-00-HE3-08

Teilbestand: 152447

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158GP-E3/54

Teilbestand: 167591

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159DGP-E3/54

Teilbestand: 196065

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY206GP-E3/54

Teilbestand: 129826

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-00-E3-08

Teilbestand: 119881

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ35-GS08

Teilbestand: 102382

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 140V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ135-GS08

Teilbestand: 108043

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 125V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BAS40-00-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-HE3-08

Teilbestand: 151958

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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BYW27-400GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GP-E3/54

Teilbestand: 164170

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

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BYW27-200GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GP-E3/54

Teilbestand: 173383

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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