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Transistoren - IGBTs - Module

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50MT060ULS
Vishay Semiconductor Diodes Division

50MT060ULS

Teilbestand: 371

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 445W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A,

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50MT060WH
Vishay Semiconductor Diodes Division

50MT060WH

Teilbestand: 3045

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 114A, Leistung max: 658W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A,

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VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB200TH120N

Teilbestand: 241

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 360A, Leistung max: 1136W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 200A,

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VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TH120N

Teilbestand: 318

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A,

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VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB200TH120U

Teilbestand: 226

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 330A, Leistung max: 1316W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 200A,

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VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100NH120N

Teilbestand: 352

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 833W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A,

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VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75TP120U

Teilbestand: 963

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 105A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A (Typ),

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VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETF150Y65U

Teilbestand: 880

IGBT-Typ: Trench, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 142A, Leistung max: 417W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.06V @ 15V, 100A,

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VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA200TH60S

Teilbestand: 280

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 260A, Leistung max: 1042W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A (Typ),

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CPV363M4K
Vishay Semiconductor Diodes Division

CPV363M4K

Teilbestand: 1862

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 11A, Leistung max: 36W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 11A,

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VS-GT400TH60N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT400TH60N

Teilbestand: 181

IGBT-Typ: Trench, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 1600W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A,

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VS-GB50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50TP120N

Teilbestand: 1128

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 446W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

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VS-GB15XP120KTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB15XP120KTPBF

Teilbestand: 1583

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Leistung max: 187W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A,

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VS-GB400AH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB400AH120U

Teilbestand: 463

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 550A, Leistung max: 2841W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A,

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VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETL015Y120H

Teilbestand: 968

IGBT-Typ: Trench, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 22A, Leistung max: 89W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.03V @ 15V, 15A,

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VS-20MT120UFP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20MT120UFP

Teilbestand: 1375

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 240W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.66V @ 15V, 40A,

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VS-GB400TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB400TH120N

Teilbestand: 369

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800A, Leistung max: 2604W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ),

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VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ENQ030L120S

Teilbestand: 704

IGBT-Typ: Trench, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 61A, Leistung max: 216W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 30A,

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VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TP120N

Teilbestand: 844

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 650W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

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VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA300TD60S

Teilbestand: 525

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 1136W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A,

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VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB300NH120N

Teilbestand: 475

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500A, Leistung max: 1645W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

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VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100LP120N

Teilbestand: 1012

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 658W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ),

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VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB150LH120N

Teilbestand: 713

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 1389W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ),

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VS-GT300YH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT300YH120N

Teilbestand: 483

IGBT-Typ: Trench, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 341A, Leistung max: 1042W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ),

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VS-GB150YG120NT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB150YG120NT

Teilbestand: 756

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 182A, Leistung max: 892W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 200A,

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VS-70MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT060WHTAPBF

Teilbestand: 1353

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 347W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 140A,

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VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB90SA120U

Teilbestand: 973

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 149A, Leistung max: 862W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

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VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETF075Y60U

Teilbestand: 825

IGBT-Typ: Trench, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 109A, Leistung max: 294W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 75A,

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VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT50TP60N

Teilbestand: 555

IGBT-Typ: Trench, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 85A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

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VS-GB600AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB600AH120N

Teilbestand: 352

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 910A, Leistung max: 3125W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A (Typ),

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VS-40MT120UHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT120UHTAPBF

Teilbestand: 894

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 463W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.91V @ 15V, 80A,

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VS-GB100YG120NT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100YG120NT

Teilbestand: 804

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 127A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 100A,

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VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB200LH120N

Teilbestand: 292

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 370A, Leistung max: 1562W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 200A (Typ),

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CPV362M4U
Vishay Semiconductor Diodes Division

CPV362M4U

Teilbestand: 2219

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7.2A, Leistung max: 23W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7.2A,

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VS-GB300TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB300TH120U

Teilbestand: 176

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 530A, Leistung max: 2119W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 300A,

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VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TH120U

Teilbestand: 269

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 1136W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A,

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