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Dioden - Brückengleichrichter

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2KBP06M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-M4/51

Teilbestand: 8798

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
2KBP04M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-M4/51

Teilbestand: 8747

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel
2KBP005M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-M4/51

Teilbestand: 8740

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel
2KBP10ML-6767E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-6767E4/51

Teilbestand: 8731

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel
2KBP08M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/45

Teilbestand: 8714

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
2KBP10M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/45

Teilbestand: 8663

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel
2KBP02M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-M4/51

Teilbestand: 8663

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
2KBP06M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/45

Teilbestand: 2923

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
2KBP02M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/45

Teilbestand: 8636

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
2KBP04M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/45

Teilbestand: 8705

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel
2KBP005M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/45

Teilbestand: 8640

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel
2KBP01M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/45

Teilbestand: 8716

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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2KBP08M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/51

Teilbestand: 98957

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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2KBP10M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/51

Teilbestand: 98982

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel
2KBP06M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/51

Teilbestand: 98991

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
2KBP04M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/51

Teilbestand: 98999

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel
2KBP02M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/51

Teilbestand: 99024

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
2KBP01M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/51

Teilbestand: 98999

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel
2KBP005M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/51

Teilbestand: 98986

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel
2KBP08M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M/1

Teilbestand: 8524

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
2KBP10M/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M/51

Teilbestand: 2908

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel
2KBP06M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M/1

Teilbestand: 8535

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
2KBP04M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M/1

Teilbestand: 8578

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel
2KBP02M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M/1

Teilbestand: 8573

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
2KBP005M/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M/1

Teilbestand: 8520

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel
2W06G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2W06G-E4/51

Teilbestand: 112675

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
2W08G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2W08G-E4/51

Teilbestand: 112707

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
3N258-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N258-E4/72

Teilbestand: 8809

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
3N259-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N259-E4/72

Teilbestand: 8835

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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3N257-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-E4/72

Teilbestand: 8794

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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3N257-5410E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N257-5410E4/51

Teilbestand: 8756

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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3N256-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N256-E4/72

Teilbestand: 8836

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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3N255-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N255-E4/72

Teilbestand: 8828

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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3N254-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N254-E4/72

Teilbestand: 8746

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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3N251-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N251-E4/72

Teilbestand: 5319

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.57A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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3N249-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

3N249-E4/72

Teilbestand: 8796

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.57A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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