Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

PHE13009,127

Teilbestand: 95117

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

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WeEn Semiconductors

PHD13003C,412

Teilbestand: 174370

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

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WeEn Semiconductors

PHE13003C,126

Teilbestand: 104240

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

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