Erinnerung

W948D2FBJX6E

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 29080

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 9968

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Teilbestand: 30011

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 28695

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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W987D2HBJX6E

Teilbestand: 26863

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60µs, 5ms,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3ms,

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

W631GG6MB11I

Teilbestand: 3675

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Teilbestand: 27160

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 17129

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

W948D2FBJX6E TR

Teilbestand: 26965

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

W988D6FBGX6I

Teilbestand: 24554

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,