Chipwiderstand - Oberflächenmontage -

CR10-1962F-T

CR10-1962F-T

Teilbestand: 3572

Widerstand: 19.6 kOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 0.1W, 1/10W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±250ppm/°C,

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RP43737R0100GTTR

RP43737R0100GTTR

Teilbestand: 14943

Widerstand: 100 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 40W, Komposition: Thin Film, Temperaturkoeffizient: 150ppm/°C,

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RP93737T0050GTTR

RP93737T0050GTTR

Teilbestand: 15014

Widerstand: 50 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 40W, Komposition: Thin Film, Eigenschaften: RF, High Frequency, Temperaturkoeffizient: ±150ppm/°C,

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RP43737R0050GTTR

RP43737R0050GTTR

Teilbestand: 15028

Widerstand: 50 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 40W, Komposition: Thin Film, Temperaturkoeffizient: 150ppm/°C,

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RP92525T0050GTTR

RP92525T0050GTTR

Teilbestand: 26582

Widerstand: 50 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 20W, Komposition: Thin Film, Eigenschaften: RF, High Frequency, Temperaturkoeffizient: ±150ppm/°C,

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RP93725T0050GTTR

RP93725T0050GTTR

Teilbestand: 11367

Widerstand: 50 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 30W, Komposition: Thin Film, Eigenschaften: RF, High Frequency, Temperaturkoeffizient: ±150ppm/°C,

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RP42525R0100GTTR

RP42525R0100GTTR

Teilbestand: 26679

Widerstand: 100 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 20W, Komposition: Thin Film, Temperaturkoeffizient: 150ppm/°C,

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RP52010R0200GTBK-50

RP52010R0200GTBK-50

Teilbestand: 28241

Widerstand: 200 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 4W, Komposition: Thin Film, Temperaturkoeffizient: 150ppm/°C,

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RP42525R0050GTTR

RP42525R0050GTTR

Teilbestand: 27302

Widerstand: 50 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 20W, Komposition: Thin Film, Temperaturkoeffizient: 150ppm/°C,

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RP42010R0025GTBK-50

RP42010R0025GTBK-50

Teilbestand: 28160

Widerstand: 25 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 10W, Komposition: Thin Film, Temperaturkoeffizient: 150ppm/°C,

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RP92010T0050GTTR

RP92010T0050GTTR

Teilbestand: 50537

Widerstand: 50 Ohms, Toleranz: ±2%, Leistung (Watt): 10W, Komposition: Thin Film, Eigenschaften: RF, High Frequency, Temperaturkoeffizient: ±150ppm/°C,

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