Erfassungsabstand: 0.315" (8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.472" (12mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.394" (10mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 100mA, Ausgabetyp: Photodiode,
