| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 8A (Tc) (158°C) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 170 mOhm @ 8A |
| Vgs(th) (Max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 35V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-276 |
| Paket / Koffer | TO-276AA |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
