| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 38A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 39 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 2.6V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | SMP-FD |
| Paket / Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
