Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 11A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 13.5 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.2V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO |
Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |