Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 41A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 3V @ 1mA (Typ) |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (max.) | +25V, -10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 273W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247 |
Paket / Koffer | TO-247-3 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |