| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 3.2V @ 500µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 20V |
| Vgs (max.) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 249pF @ 1000V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 65W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-3 |
| Paket / Koffer | TO-247-3 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
