Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
---|---|
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 15.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 90 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 30µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8 |
Paket / Koffer | 8-PowerTDFN |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
---|---|
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |