Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 230mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 340mW (Ta), 2.7W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | DFN1006-3 |
Paket / Koffer | SC-101, SOT-883 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |