| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 15V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 3.5V @ 5mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Vgs (max.) | +15V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 113.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-263-7 |
| Paket / Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
