| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 28A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
| Vgs (max.) | +25V, -5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 928pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 202W (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | Die |
| Paket / Koffer | Die |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
