Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 320mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 2 Ohm @ 100mA, 4V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 64pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | X1-DFN1006-3 |
Paket / Koffer | 3-UFDFN |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |