Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 90A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 14mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Vgs (max.) | +6V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | Die |
Paket / Koffer | Die |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |