| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 1.7A |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 600µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.83nC @ 5V |
| Vgs (max.) | +5.75V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | Die |
| Paket / Koffer | Die |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
