Art | Beschreibung |
Teilestatus | Not For New Designs |
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FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Body) |
Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | 6-WEMT |
Paket / Koffer | SOT-563, SOT-666 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |