| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 1.3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (max.) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-MicroFET (2x2) |
| Paket / Koffer | 6-VDFN Exposed Pad |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
