IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

EDA / CAD-Modelle:
IPB027N10N5ATMA1 PCB-Fußabdruck und -symbol
Lagerressource:
Fabriküberschüsse / Franchised Distributor
Garantie:
1 Jahr ENDEZO-Garantie
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3 More info
SKU: #966fccf4-24d7-c831-c9c2-21d694c5a15b

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Produkteigenschaften

Art Beschreibung
Teilestatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
Rds On (Max) @ ID, Vgs
Vgs(th) (Max) @ ID
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (max.)
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
FET-Funktion
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Befestigungsart
Gerätepaket des Lieferanten
Paket / Koffer

Umwelt- und Exportklassifizierungen

RoHS-Status. RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) Unzutreffend
Lebenszyklusstatus. Veraltet / Ende des Lebens
Aktienkategorie Lagerbestand

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