IPD60R1K0CEATMA1

IPD60R1K0CEATMA1

EDA / CAD-Modelle:
IPD60R1K0CEATMA1 PCB-Fußabdruck und -symbol
Lagerressource:
Fabriküberschüsse / Franchised Distributor
Garantie:
1 Jahr ENDEZO-Garantie
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3 More info
SKU: #8fef88b0-ff98-0400-b3f4-35fa307961bd

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Produkteigenschaften

Art Beschreibung
Teilestatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
Rds On (Max) @ ID, Vgs
Vgs(th) (Max) @ ID
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (max.)
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
FET-Funktion
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Befestigungsart
Gerätepaket des Lieferanten
Paket / Koffer

Umwelt- und Exportklassifizierungen

RoHS-Status. RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) Unzutreffend
Lebenszyklusstatus. Veraltet / Ende des Lebens
Aktienkategorie Lagerbestand

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