Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 6.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 600 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 3.5V @ 220µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO262-3 |
Paket / Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |