Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 4.8 mOhm @ 69A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.2V @ 115µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13060pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO220-3-1 |
Paket / Koffer | TO-220-3 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |