| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Active |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 3.5V @ 700µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.05nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO251-3 |
| Paket / Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
