| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 32A (Ta), 200A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 1.7 mOhm @ 32A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 2.35V @ 100µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4420pF @ 13V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Body) |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | DIRECTFET™ MX |
| Paket / Koffer | DirectFET™ Isometric MX |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
