Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 32A (Ta), 160A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 1.3 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.1V @ 100µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4160pF @ 13V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Body) |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 54W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | DIRECTFET™ MX |
Paket / Koffer | DirectFET™ Isometric MX |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |