| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gerätepaket des Lieferanten | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paket / Koffer | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
