Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 700mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paket / Koffer | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |