| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 28A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 2.1V @ 50µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 13V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 39W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | - |
| Paket / Koffer | 8-TQFN Exposed Pad |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
