Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 200mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 75 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 4V @ 100µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 104pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 33W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-252, (D-Pak) |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |