Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 32A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 24 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta), 66W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-252 (MP-3ZK) |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |