Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
---|---|
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 55A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 9.5 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta), 77W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-252 (MP-3ZK) |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
---|---|
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |