Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Häufigkeit - Übergang | 230MHz, 180MHz |
Leistung max | 350mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 6-XFDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten | DFN1010B-6 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |