Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 1.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 1.3V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | TSMT5 |
Paket / Koffer | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |