| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Not For New Designs |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 760 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 5.25V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | CPT3 |
| Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
