Art | Beschreibung |
Teilestatus | Not For New Designs |
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FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 1.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 540mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | TSMT3 |
Paket / Koffer | SC-96 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |