Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 45V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 460 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | TUMT3 |
Paket / Koffer | 3-SMD, Flat Leads |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |