Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 70A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 18V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 39 mOhm @ 27A, 18V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 5.6V @ 13.3mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 18V |
Vgs (max.) | +22V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1526pF @ 500V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 262W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247N |
Paket / Koffer | TO-247-3 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |