| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 800mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 3.9V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 11W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 |
| Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
