Art | Beschreibung |
Teilestatus | Obsolete |
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FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 5.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 46 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 1V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | TSM |
Paket / Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |