| Art | Beschreibung |
| Teilestatus | Obsolete |
|---|---|
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 630 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 5V @ 100µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 427pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Gerätepaket des Lieferanten | I2PAKFP (TO-281) |
| Paket / Koffer | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| RoHS-Status. | RoHS-konform |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
| Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
| Aktienkategorie | Lagerbestand |
