Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
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FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 17A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 15.5 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4nC @ 10V |
Vgs (max.) | +20V, -25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-HWSON (3.3x3.3) |
Paket / Koffer | 8-PowerWDFN |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |