Art | Beschreibung |
Teilestatus | Active |
---|---|
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C | 3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ ID, Vgs | 125 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ ID | 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 637pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223 |
Paket / Koffer | TO-261-4, TO-261AA |
RoHS-Status. | RoHS-konform |
---|---|
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | Unzutreffend |
Lebenszyklusstatus. | Veraltet / Ende des Lebens |
Aktienkategorie | Lagerbestand |