Technologie: Magnetoresistive, Achse: X, Y, Ausgabetyp: Wheatstone Bridge, Erfassungsbereich: ±0.6mT, Spannungsversorgung: 2V ~ 25V,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±84mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 10.5V, Strom - Versorgung (max.): 8.7mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±67mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 10.5V, Strom - Versorgung (max.): 8.7mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±42mT, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 10.5V, Strom - Versorgung (max.): 8.7mA,
Technologie: Magnetoresistive, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±1mT, Spannungsversorgung: 2.7V ~ 3.6V, Strom - Versorgung (max.): 2.7mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±169mT, Spannungsversorgung: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±21mT, ±22mT, Spannungsversorgung: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 10mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±18mT, Spannungsversorgung: 2.7V ~ 38V, Strom - Versorgung (max.): 3.6mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±35mT, Spannungsversorgung: 2.7V ~ 38V, Strom - Versorgung (max.): 3.6mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Single, Ausgabetyp: Analog Voltage, Erfassungsbereich: ±73mT, Spannungsversorgung: 2.7V ~ 38V, Strom - Versorgung (max.): 3.6mA,
Technologie: Hall Effect, Achse: Z, Ausgabetyp: I²C, Erfassungsbereich: ±20mT, Spannungsversorgung: 1.71V ~ 5.5V, Strom - Versorgung (max.): 8.5mA,